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日本電子／クロスセクションポリッシャー／SM-09010　管理番号03340

試料上面にセットされた遮蔽板にイオンビームを垂直に照射し、断面形成させる試料作製装置です。    年式：2006年   イオン加速電圧：2～6kV   イオンビーム径半値幅：500μm（加速電圧6kV,試料Si）   ミリングスピード：1.3μm/min 以上（加速電圧:6KV、試料Si）   最大搭載試料サイズ：幅11㎜×長さ9㎜×厚さ2㎜ `…

NTG社／パッケージ開封装置／Dcap2 id　管理番号：03111

  主な用途　：　SEMの前処理装置 　　　　　　　　 モールドされたICをエッチングして半導体検査  年式　：　2003年    エッチング温度　：　20～250℃（温度精度±2℃）  電圧　：　AC 95～250V　50/60Hz　4A  使用薬液　：　自動混酸 （6:1～1:1）、H2SO4、FHNO3    `16…

日立／フラットミリング装置／E-3200　管理番号03212

  走査電子顕微鏡（SEM）や表面分析装置（AES,ESCA,SIMSなど）用試料の前処理装置。   アルゴンのイオンビームを試料表面に照射して約5mm径の範囲をスパッタエッチングすることができます。  年式　：　2008年式   イオンガン　：　イオンガンタイプ：ホローカソード／アノード形1本　　　　　　　　　 印加電圧：0～6kV（連続可変）　　　　　　　　　 …