光学方式 | 光遮蔽方式 |
光 源 | 半導体レーザー (波長:780nm、定格出力:5mW) |
可測粒径範囲 | 2um~100um |
定格流量 | 25mL/min |
試料圧力範囲 | -80~300kPa(ゲージ圧) |
最大定格粒子個数濃度 | 10000個/mL(10μmの粒子において、計数損失10%時) |
試料温度範囲 | 15℃~35℃ (セル部に結露を生じないこと) |
粒径区分 | 最大10段階 (6段階、粒子検出器の 校正電圧により任意のしきい値電圧を設定) |
フルストローク | 66㎜ |
精 度 | 60㎜±2% |
繰り返し誤差 | 0.5%以下 |
分 解 能 | 0.6㎜ |
動作モード | パージ、測定、コンビネーションモード |
電 源 | AC100V |
○パーティクルセンサ | KS-42D |
○コントローラ | KE-40B1 |
○シリンジサンプラ | KZ-31W |