| 光学方式 | 側方散乱方式 |
| 光 源 | 半導体レーザー (波長:780nm、定格出力:40mW) |
| 可測粒径範囲 | 0.2μm~2.0μm |
| 定格流量 | 10mL/min |
| 試料圧力範囲 | 300kPa(ゲージ圧)以下 |
| 最大定格粒子 個数濃度 | 1200個/mL(0.2μmの粒子において、 計数損失5%時) |
| 試料温度範囲 | 15℃~35℃ (セル部に結露を生じないこと) |
| 粒径区分 | 最大10段階 (粒子検出器の校正電圧により 任意のしきい値電圧を設定) |
| フルストローク | 66㎜ |
| 精 度 | 60㎜±2% |
| 繰り返し誤差 | 0.5%以下 |
| 分 解 能 | 0.6㎜ |
| 動作モード | パージ、測定、コンビネーションモード |
| 電 源 | AC100V |
| ○パーティクルセンサ | KS-42B |
| ○コントローラ | KE-40B1 |
| ○シリンジサンプラ | KZ-31W |