光学方式 | 側方散乱方式 |
光 源 | 半導体レーザー (波長:780nm、定格出力:5mW) |
レーザ製品の クラス | クラス1、IEC 60825-1 |
接液部材質 | 合成石英、PFA、PTFE |
導入可能な 液体 | 接液部を腐食しない液体 |
粒径区分 | 7段階(出荷時):0.5μm、1.0μm、2.0μm 3.0μm、5.0μm、10μm、20μm以上 |
任意設定 | 1段階から10段階で任意設定、 設定はコントローラから行う |
設定範囲 | 0.5μm~20μm |
定格流量 | 10mL/min |
最大定格粒子 個数濃度 | 1200個/mL (0.5μmの粒子において、計数損失5%時) |
電 源 | DC12V(KE-40B1より供給) |
使用温湿度 範囲 | 15℃~35℃、80%RH以下 (セル部に結露を生じないこと) |
粒径区分 | 最大10段階 (粒子検出器の校正電圧により 任意のしきい値電圧を設定) |
フルストローク | 66㎜ |
精 度 | 60㎜±2% |
繰り返し誤差 | 0.5%以下 |
分 解 能 | 0.6㎜ |
動作モード | パージ、測定、コンビネーションモード |
電 源 | AC100V |
○パーティクルセンサ | KS-42C |
○コントローラ | KE-40B1 |
○シリンジサンプラ | KZ-31W |